SURFACE RECOMBINATION IN GAALAS/GAAS HETEROSTRUCTURE BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：1

作者：

TIWARI, S ^{[1
]}

FRANK, DJ ^{[1
]}

WRIGHT, SL ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1988年 / 35卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/16.8868

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2444 / 2444

页数：1

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共 2 条

[1] EFFECT OF SURFACE RECOMBINATION ON CURRENT IN ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS [J].

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (06) :3530-3542

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