A 90-NS ONE-MILLION ERASE PROGRAM CYCLE 1-MBIT FLASH MEMORY

被引：29

作者：

KYNETT, VN

FANDRICH, ML

ANDERSON, J

DIX, P

JUNGROTH, O

KREIFELS, JA

LODENQUAI, RA

VAJDIC, B

WELLS, S

WINSTON, MD

YANG, L

机构：

[1] INTEL CORP,TECHNOL DEV SOFTWARE ENGN GRP,FOLSOM,CA 95630

[2] INTEL CORP,TECHNOL DEV GRP,FOLSOM,CA 95630

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1989.572591

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：6