PROPERTIES OF SILICON NITRIDE DEPOSITED FROM A GASEOUS SOURCE BY RADIO FREQUENCY GLOW DISCHARGE

被引：0
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作者：
SWANN, RCG
MEHTA, RR
CAUGE, TP
机构：
来源：
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1966年 / 113卷 / 12期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：C315 / &
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