PROPERTIES AND DEPOSITION OF LOW-PRESSURE CVD TUNGSTEN-SILICON FILMS

被引：0

作者：

MONNIG, KA

BRORS, DL

FAIR, JA

CONEY, W

SARASWAT, KC

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

[2] GENUS INC,MT VIEW,CA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21836

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1965 / 1966

页数：2