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SUBNANOSECOND-PULSE GENERATOR WITH VARIABLE PULSEWIDTH USING AVALANCHE TRANSISTORS
被引:16
作者
:
REIN, HM
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机构:
RUHR UNIV,INST ELEKTR,POSTFACH 2148,4630 BOCHUM,FED REP GER
REIN, HM
ZAHN, M
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机构:
RUHR UNIV,INST ELEKTR,POSTFACH 2148,4630 BOCHUM,FED REP GER
ZAHN, M
机构
:
[1]
RUHR UNIV,INST ELEKTR,POSTFACH 2148,4630 BOCHUM,FED REP GER
[2]
DORNIER SYST GMBH,POSTFACH 648,7990 FRIEDRICHSHAFEN,FED REP GER
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1975年
/ 11卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19750016
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:21 / 23
页数:3
相关论文
共 6 条
[1]
MITCHELL WB, 1968, ELECTRON DES, V6, P202
[2]
PFEIFFER W, 1971, INT ELEKTRON RUNDSCH, V25, P268
[3]
INFLUENCE OF BASE SPREADING RESISTANCE AND CHARGE CARRIER MULTIPLICATION ON INITIAL FAMILY OF CHARACTERISTICS OF PLANAR TRANSISTORS
REIN, HM
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REIN, HM
SCHAD, T
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SCHAD, T
ZUHLKE, R
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ZUHLKE, R
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1972,
15
(05)
: 481
-
+
[4]
REIN HM, TO BE PUBLISHED
[5]
REIN HM, 1967, DISKUSSIONSSITZUNG N
[6]
ZAHN M, 1967, THESIS U STUTTGART
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共 6 条
[1]
MITCHELL WB, 1968, ELECTRON DES, V6, P202
[2]
PFEIFFER W, 1971, INT ELEKTRON RUNDSCH, V25, P268
[3]
INFLUENCE OF BASE SPREADING RESISTANCE AND CHARGE CARRIER MULTIPLICATION ON INITIAL FAMILY OF CHARACTERISTICS OF PLANAR TRANSISTORS
REIN, HM
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REIN, HM
SCHAD, T
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SCHAD, T
ZUHLKE, R
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0
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ZUHLKE, R
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1972,
15
(05)
: 481
-
+
[4]
REIN HM, TO BE PUBLISHED
[5]
REIN HM, 1967, DISKUSSIONSSITZUNG N
[6]
ZAHN M, 1967, THESIS U STUTTGART
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