THERMAL ANNEALING OF SILICON-WAFERS FOR INTRINSIC GETTERING

被引：0

作者：

DARAGONA, FS ^{[1
]}

TSUI, RK ^{[1
]}

LIAW, HM ^{[1
]}

FEJES, PL ^{[1
]}

机构：

[1] MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LAB,PHOENIX,AZ 85008

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：C239 / C239

页数：1

相关论文

empty

未找到相关数据