CELL GEOMETRY EFFECT ON IGT LATCH-UP

被引：10
作者：
YILMAZ, H
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1985.26176
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：419 / 421
页数：3
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Baliga B. J., 1982, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P264
[2]   SWITCHING SPEED ENHANCEMENT IN INSULATED GATE TRANSISTORS BY ELECTRON-IRRADIATION [J].
BALIGA, BJ .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1984, 31 (12) :1790-1795
[3]  
Goodman A. M., 1983, International Electron Devices Meeting 1983. Technical Digest, P79
[4]   THE COMFET - A NEW HIGH CONDUCTANCE MOS-GATED DEVICE [J].
RUSSELL, JP ;
GOODMAN, AM ;
GOODMAN, LA ;
NEILSON, JM .
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1983, 4 (03) :63-65
[5]  
YILMAZ H, 1984, MAY GE GOSAM S
[6]  
YILMAZ H, 1983, CELL GEOMETRIES IGT
[7]  
YILMAZ H, UNPUB TRANSIENT CHAR
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