LOW-TEMPERATURE TWO-DIMENSIONAL MOBILITY OF A GAAS HETEROLAYER

被引：105

作者：

PRICE, PJ

机构：

来源：

SURFACE SCIENCE | 1984年 / 143卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(84)90415-1

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：145 / 156

页数：12

相关论文

共 14 条

[11] CALCULATED TEMPERATURE-DEPENDENCE OF MOBILITY IN SILICON INVERSION-LAYERS
STERN, F
[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1980, 44 (22) : 1469 - 1472
[12] INFLUENCE OF AN UNDOPED (ALGA)AS SPACER ON MOBILITY ENHANCEMENT IN GAAS-(ALGA)AS SUPER-LATTICES
STORMER, HL
PINCZUK, A
GOSSARD, AC
WIEGMANN, W
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1981, 38 (09) : 691 - 693
[13] ELECTRON MOBILITIES IN MODULATION-DOPED GAAS-(ALGA)AS HETEROSTRUCTURES
STORMER, HL
[J]. SURFACE SCIENCE, 1983, 132 (1-3) : 519 - 526
[14] HIGH MOBILITIES IN ALXGA1-XAS-GAAS HETEROJUNCTIONS
WITKOWSKI, LC
DRUMMOND, TJ
STANCHAK, CM
MORKOC, H
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1980, 37 (11) : 1033 - 1035