GA-AS-SI TERNARY PHASE SYSTEM

被引：26

作者：

PANISH, MB

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2423790

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1226 / &

共 12 条

HALL, RN .

[2]

Hansen M., 1958, J ELECTROCHEM SOC, DOI DOI 10.1149/1.2428700

[3] THE SOLUBILITY OF SILICON AND GERMANIUM IN GALLIUM AND INDIUM [J].

KECK, PH ;

BRODER, J .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (04) :521-522

[4] Silicium arsenide [J].

Klemm, W ;

Pirscher, P .

ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1941, 247 (03) :211-220

[5]

KLEMM W, 1948, J ANORG ALLGEM CHEM, V256, P239

[6]

KOSTER W, 1955, Z METALLKUNDE, V40, P291

PANISH, MB .

JOURNAL OF THE LESS-COMMON METALS, 1966, 10 (06) :416-&

PANISH, MB .

[9] GALLIUM-ARSENIC-ZINC SYSTEM [J].

PANISH, MB .

[10] PHASE EQUILIBRIA IN GAAS AND GAP SYSTEMS [J].

THURMOND, CD .