P-N-JUNCTION FORMATION USING LASER-INDUCED DONORS IN SILICON

被引：32
作者：
MADA, Y
INOUE, N
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 48卷 / 18期
关键词：
D O I：
10.1063/1.96982
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：1205 / 1207
页数：3
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