RADIATION EFFECTS ON GAAS SCHOTTKY DIODES

被引：2

作者：

TAYLOR, PD ^{[1
]}

MORGAN, DV ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LEEDS,DEPT ELECT & ELECTR ENGN,LEEDS LS2 9JT,ENGLAND

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1975年 / 27卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1080/00337577508233017

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：113 / 114

页数：2

共 5 条

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KENNEDY, JK ;

YANG, AC .

[2] SMALL-SIGNAL ADMITTANCE OF CARBON IMPLANTED P-N DIODES [J].

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MORGAN, DV ;

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[3]

MOLL JL, 1964, PHYSICS SEMICONDUCTO, P128

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MORGAN, DV .

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