MICROSTRUCTURE OF XENON-IMPLANTED SILICON

被引：16
作者：
MADER, S [1 ]
TU, KN [1 ]
机构：
[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1975年 / 12卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1116/1.568572
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：501 / 503
页数：3
相关论文
共 6 条
[1]   IDENTIFICATION OF DOMINANT DIFFUSING SPECIES IN SILICIDE FORMATION [J].
CHU, WK ;
KRAUTLE, H ;
MAYER, JW ;
MULLER, H ;
NICOLET, MA ;
TU, KN .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1974, 25 (08) :454-457
[2]  
Hu S. M., 1973, ATOMIC DIFFUSION SEM, P217
[3]   ANALYSIS OF THIN-FILM STRUCTURES WITH NUCLEAR BACKSCATTERING AND X-RAY-DIFFRACTION [J].
MAYER, JW ;
TU, KN .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1974, 11 (01) :86-93
[4]  
MAYER JW, 1970, ION IMPLANTATION SEM, pCH2
[5]  
RUHLE MR, 1972, RADIATION INDUCED VO, P255
[6]   FORMATION AND ANNEALING OF ISOLATION REGIONS IN SILICON THROUGH SI+ BOMBARDMENT [J].
SCHWUTTK.GH ;
BRACK, K ;
GOREY, EF ;
KAHAN, A ;
LOWE, LF ;
EULER, F .
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1972, 14 (01) :107-113
1