TURN-ON DELAY IN GALLIUM ARSENIDE LASERS OPERATED AT ROOM TEMPERATURE

被引：18

作者：

KONNERTH, K

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1965年 / ED12卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1965.15571

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：506 / &

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共 3 条

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KONNERTH, K ;

LANZA, C .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1964, 4 (07) :120-&

[2] TIME CHARACTERISTICS OF LIGHT PULSES FROM GALLIUM ARSENIDE LASERS [J].

LYTOLLIS, J ;

TEESDALE, RR ;

RAMSAY, MM .

NATURE, 1963, 199 (489) :1083-&

[3] LIGHT EMISSION AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF EPITAXIAL GAAS LASERS AND TUNNEL DIODES [J].

WINOGRADOFF, NN ;

KESSLER, HK .

SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1964, 2 (04) :119-122