FLOW-RATE MODULATION EPITAXY OF GAAS

被引：104

作者：

KOBAYASHI, N

MAKIMOTO, T

HORIKOSHI, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1985年 / 24卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L962

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L962 / L964

页数：3

相关论文

共 3 条

[1] REDUCED CARBON CONTAMINATION IN OMVPE GROWN GAAS AND ALGAAS [J].

KOBAYASHI, N ;

MAKIMOTO, T .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1985, 24 (10) :L824-L826

[2] MOLECULAR LAYER EPITAXY [J].

NISHIZAWA, J ;

ABE, H ;

KURABAYASHI, T .

[3]

SUNTOLA T, 1985, 16TH C SOL STAT DEV, P647