THE COMFET - A NEW HIGH CONDUCTANCE MOS-GATED DEVICE

被引：133

作者：

RUSSELL, JP ^{[1
]}

GOODMAN, AM ^{[1
]}

GOODMAN, LA ^{[1
]}

NEILSON, JM ^{[1
]}

机构：

[1] RCA CORP,MOUNTAINTOP,PA 18707

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25649

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：63 / 65

页数：3

共 8 条

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