MINIATURIZATION OF SI MOSFET AT 77-K

被引：24

作者：

KAMGAR, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20860

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1226 / 1228

页数：3

共 6 条

[1] GENERALIZED GUIDE FOR MOSFET MINIATURIZATION [J].

BREWS, JR ;

FICHTNER, W ;

NICOLLIAN, EH ;

SZE, SM .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1980, 1 (01) :2-4

[2] CHARGE-SHEET MODEL OF MOSFET [J].

BREWS, JR .

[3] VERY SMALL MOSFETS FOR LOW-TEMPERATURE OPERATION [J].

GAENSSLEN, FH ;

RIDEOUT, VL ;

WALKER, EJ ;

WALKER, JJ .

[4] SUBTHRESHOLD BEHAVIOR OF SILICON MOSFETS AT 4.2-K [J].

KAMGAR, A .

[5]

Sze S.M., 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P24

[6] SUB-THRESHOLD CONDUCTION IN MOSFETS [J].

TAYLOR, GW .