MECHANISM OF PHOTOCONDUCTIVITY IN HIGH-RESISTIVITY CR-DOPED GAAS SINGLE-CRYSTALS

被引：0

作者：

BUBE, RH ^{[1
]}

LIN, AL ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,STANFORD,CA

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1975年 / 20卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：404 / 404

页数：1