A 100 KV MASKLESS ION-IMPLANTATION SYSTEM WITH AN AU-SI-BE LIQUID-METAL ION-SOURCE FOR III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：16
作者：
MIYAUCHI, E
ARIMOTO, H
HASHIMOTO, H
FURUYA, T
UTSUMI, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.22.L287
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L287 / L288
页数：2
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