LOW-TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF SI (INVERTED TRANSPORT IN CLOSE-SPACED TECHNIQUE)

被引：11

作者：

BLOEM, J

SCHOLTE, JWA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2423402

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1211 / &

共 13 条

[1]

Kubaschewski O., 1958, METALLURGICAL THERMO

[2] EQUILIBRIUM BEHAVIOR OF SILICON-HYDROGEN-CHLORINE SYSTEM [J].

LEVER, RF .

[3] EPITAXIAL GROWTH OF GERMANIUM USING WATER VAPOR [J].

LEVER, RF ;

JONA, F .

NICOLL, FH .

[5]

Pfann W., 1955, J MET, V7, P961

SCHAFER, H ;

NICKL, J .

ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1953, 274 (4-5) :250-264

SCHAFER, H ;

MORCHER, B .

ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1957, 290 (5-6) :279-291

[8]

SCHAFER H, 1962, CHEMISCHE TRANSPORTR

SIRTL, E .

[10]

STEINMAIER W, 1963, PHILIPS RES REP, V18, P75