EFFECTS OF SURFACE OXIDE ON LEAKAGE CURRENT OF MAGNETRON-SPUTTERED TA2O5 ON SI

被引：17

作者：

SEKI, S

UNAGAMI, T

KOGURE, O

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2113722

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：3054 / 3055

页数：2

共 5 条

KAPLAN, E ;

BALOG, M ;

FROHMANBENTCHKOWSKY, D .

[2]

Kato T., 1983, 1983 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, P86

SEKI, S ;

UNAGAMI, T ;

TSUJIYAMA, B .

SMITH, DJ ;

YOUNG, L .

[5] WETTING OF THIN-LAYERS OF SIO2 BY WATER [J].

WILLIAMS, R ;

GOODMAN, AM .