INFLUENCE OF A RESISTIVE SUBLAYER AT THE POLYSILICON SILICON DIOXIDE INTERFACE ON MOS PROPERTIES

被引：5

作者：

LIFSHITZ, N

LURYI, S

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1983年 / 30卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21217

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：833 / 836

页数：4

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