STEP MOTION OF GROWTH SURFACE IN INITIAL-STAGE OF SEMICONDUCTOR FILM EPITAXY WITH ION SPUTTERING

被引：20

作者：

ALEKSANDROV, LN ^{[1
]}

LOVYAGIN, RN ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI USSR, SEMICONDUCTOR PHYS INST, NOVOSIBIRSK, USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(74)90027-3

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：10

共 14 条

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