LEC GROWTH TECHNIQUE FOR HOMOGENEOUS UNDOPED SEMI-INSULATING GAAS SINGLE-CRYSTALS WITH INSITU MELT PURIFICATION PROCESS

被引：8
作者：
TERASHIMA, K
NAKAJIMA, H
FUKUDA, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1982年 / 21卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.21.L452
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L452 / L454
页数：3
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共 4 条
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