HEAVY-ION SPUTTERING YIELD OF SILICON

被引：64

作者：

ANDERSEN, HH ^{[1
]}

BAY, HL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV AARHUS,INST PHYS,DK-8000 AARHUS,DENMARK

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.321889

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1919 / 1921

页数：3

共 19 条

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