GAAS X-BAND POWER FET

被引：2

作者：

FUKUTA, M ^{[1
]}

SUYAMA, K ^{[1
]}

YOKOYAMA, N ^{[1
]}

ISHIKAWA, H ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.15S1.151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：151 / 156

页数：6

相关论文

共 4 条

[1] MEDIUM-POWER GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

DRUKIER, I ;

CAMISA, RL ;

JOLLY, ST ;

HUANG, HC ;

NARAYAN, SY .

[2]

HAWARTH DJ, 1953, P ROY SOC A, V291, P53

[3] VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS IN A NITROGEN ATMOSPHERE [J].

IHARA, M ;

DAZAI, K ;

RYUZAN, O .

[4]

NOZAKI T, 1974, 5TH INT S GAAS REL C, P7