MINIMIZATION OF PARASITICS IN INTEGRATED CIRCUITS BY DIELECTRIC ISOLATION

被引：11
作者：
MAXWELL, DA
BEESON, RH
ALLISON, DF
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1965年 / ED12卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1965.15446
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：20 / &
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CASTRO PS, 1961, ELECTRON ENG, V80, P535
[2]  
CASTRO PS, 1960, P NATL ELECTRONICS C
[3]  
DICKEN H, 1963, INTERNAT SOLIDSTATE
[4]   STRUCTURE-DETERMINED GAIN-BAND PRODUCT OF JUNCTION TRIODE TRANSISTORS [J].
EARLY, JM .
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1958, 46 (12) :1924-1927
[5]   FREQUENCY VARIATIONS OF JUNCTION-TRANSISTOR PARAMETERS [J].
PRITCHARD, RL .
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1954, 42 (05) :786-799
[6]  
WEISSENSTERN M, 1963, ELECTRONIC DESIGN
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