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BELOW 10 PS/GATE OPERATION WITH BURIED P-LAYER SAINT FETS
被引:41
作者
:
YAMASAKI, K
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YAMASAKI, K
KATO, N
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KATO, N
HIRAYAMA, M
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HIRAYAMA, M
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1984年
/ 20卷
/ 25-2期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19840703
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1029 / 1031
页数:3
相关论文
共 6 条
[1]
MATSUMOTO K, 1984, 42ND IEEE DEV RES C
[2]
NAKAMURA H, 1984, 16TH P C SOL STAT DE, P395
[3]
OHMORI M, 1984, 11TH INT S GALL ARS
[4]
SELF-ALIGN IMPLANTATION FOR N+-LAYER TECHNOLOGY (SAINT) FOR HIGH-SPEED GAAS ICS
YAMASAKI, K
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KURUMADA, K
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1982,
18
(03)
: 119
-
121
[5]
YAMASAKI K, 1982, 1982 IEDM, P166
[6]
YAMASAKI K, 1983, NATIONAL C RECORD SE, P67
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共 6 条
[1]
MATSUMOTO K, 1984, 42ND IEEE DEV RES C
[2]
NAKAMURA H, 1984, 16TH P C SOL STAT DE, P395
[3]
OHMORI M, 1984, 11TH INT S GALL ARS
[4]
SELF-ALIGN IMPLANTATION FOR N+-LAYER TECHNOLOGY (SAINT) FOR HIGH-SPEED GAAS ICS
YAMASAKI, K
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KURUMADA, K
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1982,
18
(03)
: 119
-
121
[5]
YAMASAKI K, 1982, 1982 IEDM, P166
[6]
YAMASAKI K, 1983, NATIONAL C RECORD SE, P67
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