DEFECT SIZE VARIATIONS AND THEIR EFFECT ON THE CRITICAL AREA OF VLSI DEVICES

被引：39
作者：
FERRISPRABHU, AV
机构：
[1] IBM, Essex Junction, VT, USA, IBM, Essex Junction, VT, USA
来源：
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1985年 / 20卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1109/JSSC.1985.1052404
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
INTEGRATED CIRCUITS, VLSI
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页码：878 / 880
页数：3
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