VOLTAGE SENSITIVITY CONTROL OF HYPER-ABRUPT-CAPACITANCE DIODE BY VAPOR GROWTH PROCESS

被引：2
作者：
KONDO, A
IWATA, Y
ITO, A
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1966年 / 5卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.5.338
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：338 / &
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共 2 条
[1]  
ITO A, 1965, MITSUBISHI DENKI GIH, V39, P1240
[2]  
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