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HIGH-EFFICIENCY GALLIUM ARSENIDE AVALANCHE DIODES
被引：0
作者：
ARMSTRON.LD
机构：
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1968.16277
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：423 / &
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