SUBMILLIMETER PHOTOCONDUCTIVITY OF EPITAXIAL INP DOPED WITH RARE-EARTH ELEMENTS

被引:0
作者
BERMAN, LV [1 ]
GORELENOK, AT [1 ]
ZHUKOV, AG [1 ]
MAMUTIN, VV [1 ]
机构
[1] AF IOFFE ENGN PHYS INST,LENINGRAD,USSR
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1985年 / 19卷 / 08期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
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页码:857 / 859
页数:3
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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1971, 18 (05) :205-&
[13]  
ZHUKOV AG, 1964, OPT SPEKTROSK+, V17, P284