HIGH OPTICAL-QUALITY GA0.5IN0.5P GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：0

作者：

CHENG, KY

BAILLARGEON, JN

HSIEH, KC

NAM, DW

VESELY, E

FERNANDEZ, GE

HOLONYAK, N

FU, RJ

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,CTR COMPOUND SEMICOND MICROELECTR,URBANA,IL 61801

[2] BOEING AEROSP & ELECTR,SEATTLE,WA 98124

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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