GAAS-MESFETS AND ALGAAS DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS FABRICATED ON MONOLITHIC GAAS/SI SUBSTRATES

被引：0

作者：

CHOI, HK ^{[1
]}

WINDHORN, TH ^{[1
]}

TSAUR, BY ^{[1
]}

METZE, GM ^{[1
]}

TURNER, GW ^{[1
]}

FAN, JCC ^{[1
]}

机构：

[1] MIT, LINCOLN LAB, LEXINGTON, MA 02173 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21895

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1988 / 1988

页数：1