GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LEAD-TIN-YTTERBIUM-TELLURIDE FOR DIODE-LASERS

被引：16

作者：

PARTIN, DL

机构：

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1983年 / 12卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02654964

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：917 / 929

页数：13

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共 15 条

[11] MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LEAD-TELLURIDE FOR LASER-DIODES [J].

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