A MODIFIED HORIZONTAL BRIDGMAN TECHNIQUE WITHOUT ARSENIC ZONE FOR GROWTH OF GAAS CRYSTALS

被引：7

作者：

CHEN, TP ^{[1
]}

GUO, YD ^{[1
]}

HUANG, TS ^{[1
]}

机构：

[1] NATL TSING HUA UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,HSINCHU 30043,TAIWAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(89)90092-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：683 / 688

页数：6

共 8 条

COCHRAN, CN ;

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