THRESHOLD VOLTAGE IN SHORT-CHANNEL MOS DEVICES

被引：22

作者：

VISWANATHAN, CR ^{[1
]}

BURKEY, BC ^{[1
]}

LUBBERTS, G ^{[1
]}

TREDWELL, TJ ^{[1
]}

机构：

[1] EASTMAN KODAK CO,RES LABS,ROCHESTER,NY 14650

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1985.22050

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：932 / 940

页数：9

共 6 条

AKERS, LA ;

SANCHEZ, JJ .

BURKEY, BC ;

LUBBERTS, G ;

TRABKA, EA ;

TREDWELL, TJ .

[3]

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[4] SUB-THRESHOLD CONDUCTION IN MOSFETS [J].

TAYLOR, GW .

TAYLOR, GW .

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