RADIATIVE LINE ORIGIN IN HEAVILY DOPED P-GAAS IN THE PRESENCE OF UNIAXIAL DEFORMATION

被引：0
作者：
AVERKIEV, NS
OBUKHOV, SA
ROGACHEV, AA
RUD, NA
机构：
来源：
FIZIKA TVERDOGO TELA | 1983年 / 25卷 / 02期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：343 / 345
页数：3
相关论文
共 4 条
[1]  
BIR GL, 1975, FTP, V2, P1886
[2]   VALENCE-BAND PARAMETERS IN CUBIC SEMICONDUCTORS [J].
LAWAETZ, P .
PHYSICAL REVIEW B, 1971, 4 (10) :3460-&
[3]  
OBUKHOV SA, 1981, VSESOYUZNAYA K FIZIK, P177
[4]  
TITKOV AN, 1981, FIZ TEKH POLUPROV, V15, P345
1