OXYGEN PRECIPITATION ENHANCED WITH POINT-DEFECTS IN SILICON

被引：0

作者：

HARADA, H ^{[1
]}

ABE, T ^{[1
]}

CHIKAWA, J ^{[1
]}

机构：

[1] SHIN ETSU HANDOTAI CO,ANNAKA,GUNMA 37901,JAPAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1986年 / 133卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：C99 / C99

页数：1

相关论文

empty

未找到相关数据