ELECTROREFLECTANCE AT THE SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE - A COMPARISON OF THEORY AND EXPERIMENT FOR N-GAAS

被引：15

作者：

ABRANTES, LM

PEAT, R

PETER, LM

HAMNETT, A

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON,DEPT CHEM,SOUTHAMPTON SO9 5NH,HANTS,ENGLAND

[2] INORGAN CHEM LAB,OXFORD OX1 3QR,ENGLAND

来源：

BERICHTE DER BUNSEN-GESELLSCHAFT-PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS | 1987年 / 91卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1002/bbpc.19870910426

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：369 / 374

页数：6

共 19 条

[1]

ABRANTES LM, UNPUB

[2]

Aspnes D., 1972, SEMICONDUCT SEMIMET, V9, P457

[3]

Aspnes D. E., 1980, Handbook on semiconductors, vol.II. Optical properties of solids, P109

ASPNES, DE .

[5]

ASPNES DE, 1968, PHYS REV, V166, P961

[6]

CALLOWAY J, 1974, QUANTUM THEORY SOLID

[7] ELECTROREFLECTANCE AT A SEMICONDUCTOR-ELECTROLYTE INTERFACE [J].

CARDONA, M ;

SHAKLEE, KL ;

POLLAK, FH .

PHYSICAL REVIEW, 1967, 154 (03) :696-+

[8]

Cardona M., 1969, MODULATION SPECTROSC

[9]

FRANZ W, 1958, Z NATURFORSCH PT A, V13, P484

[10]

HAMNETT A, IN PRESS COMP CHEM K, V29