ELECTRICAL AND THERMAL-STABILITY OF AUGENI OHMIC CONTACTS TO GAAS FABRICATED WITH INSITU RF SPUTTER CLEANING

被引：14
作者：
CALLEGARI, A
LACEY, D
PAN, ETS
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1986年 / 29卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(86)90073-0
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：523 / 527
页数：5
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共 11 条
[11]   IMPROVED OHMIC PROPERTIES OF AU-GE CONTACTS TO THIN NORMAL-GAAS LAYERS ALLOYED WITH AN SIO2 OVERLAYER [J].
VIDIMARI, F .
ELECTRONICS LETTERS, 1979, 15 (21) :674-676
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