INFLUENCE DE LA RECOMBINAISON EN SURFACE SUR LA LOI DE DECROISSANCE DES PORTEURS MINORITAIRES EN EXCES DANS UN SEMICONDUCTEUR

被引：0

作者：

FORTINI, A

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM | 1962年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1051/jphysrad:01962002305027300

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：273 / 276

页数：4

相关论文

共 2 条

[1] VOLUME AND SURFACE RECOMBINATION RATES FOR INJECTED CARRIERS IN GERMANIUM [J].

MCKELVEY, JP ;

LONGINI, RL .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1954, 25 (05) :634-641

[2] MEASUREMENT OF CARRIER LIFETIMES IN GERMANIUM AND SILICON [J].

STEVENSON, DT ;

KEYES, RJ .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1955, 26 (02) :190-195