RADIATION GRAFTING OF SILICONE ONTO RAYON AND ACETATE

被引：4

作者：

NISHIDE, S

SHIMIZU, H

机构：

[1] TOKYO METROPOLITAN ISOTOPE RES CTR,2 11 1 FUKAZAWA,SETAGAYA,TOKYO,JAPAN

[2] RISSHO WOMENS UNIV,KOSHIGAYA,SAITAMA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1177/004051757404401115

中图分类号：

TB3 [工程材料学]; TS1 [纺织工业、染整工业];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 0821 ;

摘要：

引用

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