STUDY OF THE DEPTH PROFILE OF PHOSPHORUS DIFFUSION IN SILICON BY AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY

被引:0
作者
KOSTISHKO, BM
ORLOV, AM
LEVKINA, TG
机构
关键词
D O I
暂无
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:2
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共 4 条
[1]  
FAIR RB, 1981, IMPURITY DOPING PROC, pCH7
[2]  
WOODRUFF D, 1986, MODERN TECHNIQUES SP
[3]  
1976, HDB AUGER ELECTRON S
[4]  
1969, FUNDAMENTALS SILICON