LASER ENHANCED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION CRYSTAL-GROWTH IN GAAS

被引：59

作者：

AOYAGI, Y ^{[1
]}

MASUDA, S ^{[1
]}

NAMBA, S ^{[1
]}

DOI, A ^{[1
]}

机构：

[1] INT MICRO TECHNOL CORP,CHIYODA KU,TOKYO 101,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96208

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：95 / 96

页数：2

共 3 条

ANPO, M ;

KUBOKAWA, Y .

LEYS, MR ;

VEENVLIET, H .

[3] ON THE REACTION-MECHANISM OF GAAS MOCVD [J].

NISHIZAWA, J ;

KURABAYASHI, T .