CW OSCILLATION CHARACTERISTICS OF GAAS SCHOTTKY-BARRIER GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引:8
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作者
MAEDA, M [1 ]
TAKAHASHI, S [1 ]
KODERA, H [1 ]
机构
[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI 185,TOKYO,JAPAN
关键词
D O I
10.1109/PROC.1975.9740
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:320 / 321
页数:2
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