ON THE STRUCTURAL FEATURES OF DOPED AMORPHOUS-CHALCOGENIDE SEMICONDUCTORS

被引:23
作者
BHATIA, KL [1 ]
GOSAIN, DP [1 ]
PARTHASARATHY, G [1 ]
GOPAL, ESR [1 ]
机构
[1] INDIAN INST SCI,INSTRUMENTAT & SERV UNIT,BANGALORE 560012,KARNATAKA,INDIA
关键词
D O I
10.1016/0022-3093(86)90475-8
中图分类号
TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
引用
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页数:7
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