STABILIZATION OF MOS STRUCTURES BY BORON ION-IMPLANTATION

被引：1

作者：

SIGMON, TW ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD LABS,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1975.10016

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1619 / 1620

页数：2

共 7 条

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