RBS ANALYSIS OF ALXGA1-XAS LAYERS USING 30 MEV O-16 IONS

被引：9

作者：

OSTLING, M ^{[1
]}

PETERSSON, CS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV UPPSALA, INST TECHNOL, S-75105 UPPSALA, SWEDEN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1984年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(84)90046-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

收藏

页码：88 / 91

页数：4

相关论文

共 4 条

[1]

CHU WK, 1978, BACKSCATTERING SPECT, pCH3

[2]

GAMO K, 1976, ION BEAM SURFACE LAY, V1, P375

[3]

LEDEBO LA, 1981, I PHYS C SER, V61, pCH11

[4] ELECTRON-PROBE MICROANALYSIS OF EPITAXIAL GARNET-FILMS [J].

WILLICH, P ;

TOLKSDORF, W ;

OBERTOP, D .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1981, 53 (03) :483-489