INTERLAYER POTENTIAL IN 2H-MOS2

被引:3
作者
GHOSH, PN
MAITI, CR
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1984年 / 29卷 / 08期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.29.4757
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
收藏
页码:4757 / 4761
页数:5
相关论文
共 20 条