NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

被引：85

作者：

CHANG, JJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP THOMAS J WATSON RES CTR, YORKTOWN HTS, NY 10598 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1976.10272

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1039 / 1059

页数：21

共 190 条

[1] CHARGE IN SIO2-AL2O3 DOUBLE-LAYERS ON SILICON [J].

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KERR, DR ;

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[Anonymous], COMMUNICATION